湖北日報訊 （記者李墨、通訊員張珊妮、劉剛建）昨日，總投資240億美元的國家存儲器基地項目一期工程一號生產(chǎn)及動力廠房提前1個月封頂。項目預(yù)計明年投產(chǎn)，年產(chǎn)值將超100億美元。

項目位于光谷東部武漢未來科技城，占地面積1968畝，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體。按照規(guī)劃，基地將崛起3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產(chǎn)廠房。其核心廠房和設(shè)備，每平方米投資強度超過3萬美元。

紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國在現(xiàn)場表示，該項目實現(xiàn)了中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破。

研發(fā)人員介紹，無論智能手機、電腦、還是云計算應(yīng)用，都需要海量數(shù)據(jù)存儲，相比 2D閃存，3D NAND立體堆疊存儲技術(shù)相當(dāng)于立體停車場，性能更強，功耗更低，可靠性更高。

提前封頂?shù)暮诵膹S房，建筑面積52.4萬平方米。達產(chǎn)后，單月總產(chǎn)能將達到30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元。從去年12月30日開工建設(shè)到提前封頂，只用了9個月。

2015年，發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略。武漢東湖高新區(qū)為國家存儲器基地項目規(guī)劃建設(shè)1100畝配套產(chǎn)業(yè)園區(qū)，以及1500畝國際社區(qū)用地，加快引進產(chǎn)業(yè)鏈頂級配套企業(yè)及國際化人才，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。

　　千億戰(zhàn)略背后的自主創(chuàng)“芯”夢

圖為：昨日，國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房，實現(xiàn)提前封頂。（記者 張朋 攝）

　　湖北日報訊 記者 李墨

　　昨日，一馬平川的光谷東。3座全球單體潔凈面積最大的3DNANDFlash生產(chǎn)廠房崛起。8個大字格外醒目：自主創(chuàng)“芯”，產(chǎn)業(yè)報國。

　　國家千億存儲器項目的實施，讓武漢從“鋼的城”，邁向“硅的城”。

　　“工業(yè)糧食”自主供應(yīng)

　　集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，被稱為“工業(yè)糧食”。長江存儲科技有限責(zé)任公司總裁楊士寧介紹，國家存儲器項目瞄準(zhǔn)的目標(biāo)，是實現(xiàn)國家“工業(yè)糧食”的自主供應(yīng)。

　　目前，我國生產(chǎn)的許多芯片，離世界級技術(shù)的差距在2到3代左右。而三維閃存（3DNAND）技術(shù)，差距在兩代之內(nèi)，是工藝和技術(shù)水平離世界前沿最近的一個產(chǎn)品。

　　沒有自己的存儲器芯片，一旦國際上出現(xiàn)貿(mào)易封鎖，國內(nèi)手機廠商拿不到進口的存儲芯片就會停產(chǎn)。“這不僅關(guān)系信息安全，也關(guān)系產(chǎn)業(yè)安全?！弊瞎饧瘓F董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國說，在一些關(guān)鍵的集成電路領(lǐng)域，我們必須擁有一定的自主供應(yīng)能力。

　　他說，國家存儲器基地建設(shè)，對于中國信息產(chǎn)業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)乃至整個電子工業(yè)的發(fā)展，不僅將解決現(xiàn)實問題，更將對全球產(chǎn)業(yè)局勢起到平衡作用。

　　由于芯片技術(shù)迭代極快，存儲器基地建設(shè)可謂分秒必爭。早在2年前，基地尚未啟動時，核心研發(fā)便已悄悄開始。

　　項目力爭在2019年實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，滿產(chǎn)后能供應(yīng)國內(nèi)50%以上存儲芯片需求。楊士寧形容，武漢存儲芯片產(chǎn)業(yè)正在用3年時間，追趕別人6年走過的路?！叭绻葟S房建好再開始研發(fā)、試產(chǎn)，至少要晚3年?！?/p>

　　拼搏趕超的武漢速度

　　2016年12月1日，樁基進場。

　　180天，完成第一根鋼梁吊裝。

　　9個月，一期核心廠房封頂。

　　截至目前，國家存儲器項目已累計完成投資85億元。而這僅僅是用5年時間鍛造“大國重器”的開始。

　　拼搏趕超，不僅僅在緊張的研發(fā)中心，也在成百上千的“安全帽”下。

　　國家存儲器基地項目服務(wù)專班負(fù)責(zé)人明銘介紹，開工至今90天，無論日曬雨淋，項目從未停工。為保障按時打下第一根樁，70天遷移遷改輸油輸氣管線10公里。

　　目前，項目周邊未來二路、未來三路、長芯路均已具備通車條件；科技五路正在按計劃節(jié)點加快施工。

　　楊士寧說，芯片制造的產(chǎn)業(yè)拉動效應(yīng)約為1：10。作為最大的集成電路單體投資項目，武漢基地投產(chǎn)后的放大效應(yīng)將會更大。不久的將來，以千億存儲項目為龍頭，光谷將打造一個“芯片—顯示—智能終端”的萬億產(chǎn)業(yè)集群。