原標(biāo)題：中國芯，湖北造！我國首批三維NAND閃存芯片年內(nèi)量產(chǎn)

國家存儲器基地首臺生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)場

我國首批三維NAND閃存芯片年內(nèi)量產(chǎn)

湖北日報訊我國擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的三維NAND閃存芯片距離批量生產(chǎn)又進(jìn)一步。4月11日上午，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項(xiàng)目，首套芯片生產(chǎn)機(jī)臺進(jìn)場安裝。這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入生產(chǎn)準(zhǔn)備階段。年內(nèi)，32層三維NAND閃存芯片將在中國光谷實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

作為電子產(chǎn)品的制造大國和消費(fèi)大國，中國通用存儲器需求占全球產(chǎn)能的50%。三維NAND閃存芯片多用于手機(jī)、高性能服務(wù)器，目前全部依賴進(jìn)口，市場話語權(quán)被三星、東芝、鎂光等美、日、韓企業(yè)把控。紫光集團(tuán)董事長趙偉國說，國家存儲器基地項(xiàng)目是中國集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，更是打破西方國家壟斷的重要抓手。未來10年，紫光集團(tuán)至少將投資1000億美元，推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

長江存儲執(zhí)行董事長高啟全介紹，接下來2到3個月內(nèi)，近3000套生產(chǎn)機(jī)臺將陸續(xù)進(jìn)場安裝調(diào)試，7月底8月初具備試生產(chǎn)條件，年內(nèi)預(yù)計可生產(chǎn)出5000片32層三維NAND閃存芯片。2019年，32層三維NAND閃存芯片產(chǎn)量將提升至每年10萬片，當(dāng)年底試產(chǎn)64層三維NAND閃存芯片。2020年，64層三維NAND閃存芯片產(chǎn)能將提升至每年10萬片，并研發(fā)具有全球先進(jìn)水平的128層三維NAND閃存芯片。

武漢市市長萬勇表示，國家存儲器基地機(jī)臺搬入，是“中國芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。期待“中國芯”在全球市場反響良好，期待基地第二、第三工廠盡早開工建設(shè)。

國家存儲器基地項(xiàng)目2016年3月正式啟動，分三期建設(shè)。至2020年，三期全部完工后，基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元，形成設(shè)計、測試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。

（責(zé)編 徐柯）