我國(guó)首批三維NAND閃存芯片年內(nèi)量產(chǎn)
2018-04-12 07:13:00 來源:湖北日?qǐng)?bào)
    湖北日?qǐng)?bào)訊 湖北日?qǐng)?bào)訊(記者李源、通訊員張珊妮、吳非)我國(guó)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的三維NAND閃存芯片距離批量生產(chǎn)又進(jìn)一步。4月11日上午,由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目,首套芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝。這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入生產(chǎn)準(zhǔn)備階段。年內(nèi),32層三維NAND閃存芯片將在中國(guó)光谷實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
    作為電子產(chǎn)品的制造大國(guó)和消費(fèi)大國(guó),中國(guó)通用存儲(chǔ)器需求占全球產(chǎn)能的50%。三維NAND閃存芯片多用于手機(jī)、高性能服務(wù)器,目前全部依賴進(jìn)口,市場(chǎng)話語(yǔ)權(quán)被三星、東芝、鎂光等美、日、韓企業(yè)把控。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)說,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目是中國(guó)集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展“零”的突破,更是打破西方國(guó)家壟斷的重要抓手。未來10年,紫光集團(tuán)至少將投資1000億美元,推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
    長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全介紹,接下來2到3個(gè)月內(nèi),近3000套生產(chǎn)機(jī)臺(tái)將陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)安裝調(diào)試,7月底8月初具備試生產(chǎn)條件,年內(nèi)預(yù)計(jì)可生產(chǎn)出 5000片 32層三維NAND閃存芯片。2019年,32層三維NAND閃存芯片產(chǎn)量將提升至每年10萬(wàn)片,當(dāng)年底試產(chǎn)64層三維NAND閃存芯片。2020年,64層三維NAND閃存芯片產(chǎn)能將提升至每年10萬(wàn)片,并研發(fā)具有全球先進(jìn)水平的128層三維NAND閃存芯片。
    武漢市市長(zhǎng)萬(wàn)勇表示,國(guó)家存儲(chǔ)器基地機(jī)臺(tái)搬入,是“中國(guó)芯”的一大步,也是“新武漢造”的一大步。期待“中國(guó)芯”在全球市場(chǎng)反響良好,期待基地第二、第三工廠盡早開工建設(shè)。
    國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目2016年3月正式啟動(dòng),分三期建設(shè)。至2020年,三期全部完工后,基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬(wàn)片,年產(chǎn)值超過100億美元,形成設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。
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