湖北日?qǐng)?bào)訊（記者李源）致力于打造“中國(guó)芯”的長(zhǎng)江存儲(chǔ)再傳好消息。8月7日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開(kāi)發(fā)布Xtacking技術(shù)。該技術(shù)將為三維閃存提供更高的讀寫(xiě)性能和更高的存儲(chǔ)密度，同時(shí)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期。
    傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)中，外圍電路與存儲(chǔ)單元共享芯片面積。生產(chǎn)時(shí)，外圍電路和存儲(chǔ)單元需同時(shí)進(jìn)行加工，二者容易互相掣肘，對(duì)工藝要求極高。Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，讓芯片加工從平面走向立體。即在一片晶圓上加工外圍電路，在另一片晶圓上加工存儲(chǔ)單元，兩片晶圓各自完工后再進(jìn)行接合。由于芯片空間得以釋放，三維閃存的存儲(chǔ)密度有望實(shí)現(xiàn)大幅提升。
    長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧介紹，目前世界上最快的三維閃存讀寫(xiě)速度是1.4Gbps，采用Xtacking技術(shù)后這一數(shù)值有望提升到3.0Gbps，對(duì)閃存行業(yè)來(lái)講將是顛覆性的。他透露，Xtacking技術(shù)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間可縮短3個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
    紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，Xtacking技術(shù)在全球范圍內(nèi)是首創(chuàng)的，對(duì)“中國(guó)芯”加速自主創(chuàng)新發(fā)展意義重大。
    據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于第二代三維閃存產(chǎn)品的研發(fā)中，預(yù)計(jì)2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。